Tipo de transistor N-MOSFET Polarización unipolar Tipo de transistor HEXFET Tensión drenaje-fuente 75V Corriente del drenaje 130A Potencia 330W Carcasa TO220AB Tensión puerta-fuente 20V Resistencia en estado de transferencia 7.8mO Resistencia térmica conector-carcasa 0.45K/W
Encapsulado: TO-220